一、基于实验结果的有机半导体薄膜三极管动作特性解析（论文文献综述）
徐海笑[1]（2020）在《有机半导体材料的多晶型调控及其电荷传输性能研究》文中研究表明多晶型现象是指一种物质能以两种或两种以上不同的晶体结构存在的现象,又称同质多象或同质异象。相比于无机分子,有机分子的特征是弱的范德华相互作用力,该相互作用使得有机半导体材料在大气环境下可构成多个晶体堆积模式（晶体多晶型）。有机半导体材料的多晶型往往伴随着分子堆积模式的改变,而半导体晶体堆积的差异与电荷载流子迁移率的变化直接相关。在有机半导体材料领域,很多有机半导体材料通过修饰便可以得到不同的分子堆积模式（例如引入Cl、F等吸电子基团改变分子极性等合成方法）,这种改变分子堆积以研究堆积与固态状态之间的敏感关系的方法被称为晶体工程。然而,这种方法也改变了半导体材料本身的化学结构,使得很难建立晶体堆积和电荷输运之间的直接关系。而多晶型调控则消除了对母体半导体分子进行化学修饰的需要,因此被证明是研究固体堆积对电荷传输影响的一个有价值研究途径。由于多晶型之间的化学结构是相同的,所以分子堆积和电荷转移之间的关系可以明确地建立起来。有机场效应晶体管（OFET）的性能很大程度上取决于晶体的堆积结构,因此,可以通过精细调控多晶型及开发先进制备技术从而实现有机场效应晶体管的性能提升。可以肯定的是,有机半导体材料的多晶型调控在不改变化学结构的前提下提供了一个极好的用于研究电荷传输和晶体堆积之间的基本关系的平台。本论文围绕有机半导体材料的多晶型调控及其电荷传输性能的研究开展了多方面的工作,具体的研究工作包括以下三个方面:1:通过表面聚合物辅助法制备了萘二酰亚胺衍生物（α-DPNDI）的新晶相。DPNDI的堆积模式可以通过聚合物（P3HT）的辅助从已知的一维（1D）带状结构（β相）调整为新型的二维（2D）片状结构（α相）。晶体生长过程中聚合物的存在可能会削弱直接的π-π相互作用,并有利于侧面C-H···π接触。此外,在基于单晶的OFET中,β相结构(2.59 cm2V-1s-1)显示出比α相(1.59 cm2V-1s-1)更高的电子迁移率。理论计算不仅证实β-DPNDI具有比α相更好的电子传输性能,而且还表明α-DPNDI晶体显示出2D传输而β相则具有1D传输。结果清楚地表明,聚合物辅助晶体工程应该是改变有机半导体电子特性的一种有前途的方法。2:通过溶剂蒸汽退火（SVA）法制备了基于苝四甲酸二酰亚胺（PDI）衍生物的纳米线。结果发现,由于溶剂蒸汽退火效应,旋涂的薄膜重组为分布在整个基底上的纳米线。结合原子力显微镜和荧光显微镜,PDI8-CN2分子被认为可以通过SVA过程进行长距离和完整的传质以形成一维纳米线,这也证明了其潜在的形貌可定制性。此外,基于此纳米线的有机场效应晶体管显示出稳定的电子迁移率,达到0.15 cm2V-1s-1,这归因于有效的原位重组。由于有机小分子纳米线的广泛应用,这项工作为探索新的高性能微电子和纳米电子学开辟了一种具备吸引力的途径。3:通过一种简单而有效的溶液法制备了二酰亚胺衍生物（4FPEPTC）的两个不同的晶相。通过改变溶液的浓度,可以清楚地观察线状（α相）和带状（β相）两种多晶型在堆积方式和短接触方面都有所不同。此外,基于其微纳晶制备的n沟道OFET表现出明显的电子迁移率,即α相结构的电子迁移率高于β相结构,并且光响应差异明显。理论计算进一步证实了这种现象,这有助于加深对多晶型的结构-性能关系的了解。研究表明,多晶型的研究可以被认为是实现功能特性调制的一种非常有用的方法,进一步推进了有机（光电）电子学的发展。
孙冰[2]（2020）在《新型有机-无机杂化钙钛矿的合成与自旋器件研究》文中认为自旋电子学器件可以提高传统电子器件的效率并赋予它们新功能,成为当前的研究前沿。有机自旋电子学的研究受到了材料发展的制约,设计并合成具有明确结构和优良自旋调控特性的新型功能材料成为有机自旋电子学研究的重要挑战。有机-无机杂化钙钛矿结构整合了有机材料和无机材料的诸多优势,如有机材料的结构多样性、功能性,及无机材料的磁性、高载流子迁移率,使其成为设计并合成新型功能材料的理想平台。然而,基于钙钛矿结构的磁性材料以及与自旋相关的器件探索尚处于起步阶段。本论文以面向未来自旋电子学研究所需的功能材料为目标,设计合成了一系列新型二维有机-无机杂化钙钛矿铁磁体材料,并探索其在各种器件中的应用。通过精准调控有机铵离子、金属离子和卤素的的种类,探究了这些材料的白光发射、热致变色、手性、铁磁性和铁磁共振等性能。进一步,制备了场效应晶体管、光探测器和自旋器件,获得了良好的器件性能。本论文为利用钙钛矿结构创造新型功能材料,特别是热致变色铁磁体、手性铁磁体提供了新的策略,为进一步开发应用于自旋电子学的磁性材料奠定基础。论文主要内容如下:第一章:对有机-无机杂化钙钛矿材料的发展历史、分类以及组成进行了综述与探讨。重点阐述了有机-无机杂化钙钛矿材料的功能性,探讨了钙钛矿材料在光电领域以及磁学领域的研究进展,总结了钙钛矿材料在自旋电子学领域的研究现状。在此基础上,形成了本论文的选题思路及研究意义。第二章:合成了两种新型二维杂化钙钛矿（（PED）CuCl4和（BED）2CuCl6）,发现二者表现出可逆的热致变色行为,显着的随温度变化的电导率变化和强铁磁性。温度变化时,（PED）CuCl4和（BED）2CuCl6晶体的颜色在黄棕色和红棕色之间发生可逆的变化。（BED）2CuCl6的热致变色工作温度达到443K。（BED）2CuCl6的电导率随温度的变化超过6个数量级。磁学测试表明,（PED）CuCl4和（BED）2CuCl6为铁磁物质,居里温度约为13K。将多种刺激响应特性整合到二维杂化钙钛矿中将大大拓宽其应用范围,并且有望为光电和传感器件中的潜在应用提供新型功能材料。第三章:首次合成出新型二维杂化钙钛矿手性铁磁体。通过在钙钛矿结构中引入手性铵离子,合成了两种新型手性钙钛矿（R-MPEA）2CuCl4、（S-MPEA）2CuCl4和（rac-MPEA）2CuCl4。磁学测试结果表明它们为手性铁磁体,饱和磁化强度达到12.5 emu g-1,为目前钙钛矿磁体中的最高值。我们进一步成功表征了钙钛矿材料体系的磁手性二色性,表明此类材料具备磁光器件上的应用潜力。本工作是钙钛矿手性铁磁体的首次成功合成,为构建新型多功能手性铁磁体开辟了一条新途径,突显了开发新一代基于钙钛矿的自旋电子学的潜力。第四章:设计并合成出一系列的新型二维杂化钙钛矿,表现出白光发射与场效应性能。其中（BED）PbBr4色度坐标为（0.34,0.44）,接近于理想的白光发射体（0.33,0.33）。进一步研究了 PEA/PED/BED等有机胺组分对材料发光与导电性质的影响,通过将Pb替换为Sn,实现了材料带隙的减小,构筑了场效应晶体管。本工作为利用钙钛矿材料同时实现白光发射与场效应性质提供了新的思路。第五章:制备了 MAPbI3/PCDTPT复合物的柔性近红外光探测器,表现出快速的光响应性、可重复性与优异的稳定性。通过MAPbI3单晶与PCDTPT的复合,实现了比薄膜更高的器件效率。研究了基底温度对钙钛矿薄膜形貌的控制,并分析了入射光波长与能量对器件响应度的影响。第六章:以铁磁性的（BED）2CuCl6作为研究对象,制备了基于（BED）2CuCl6/Pt的逆自旋霍尔器件,系统研究了温度、频率、Pt厚度对铁磁共振信号的调控,分析了铁磁共振的线宽与共振场的变化规律。在此基础上,制备了基于MAPbBr3晶体的Hall效应器件,表征了载流子的迁移率。最后,构筑了基于有机高分子PBTTT的逆自旋霍尔效应器件,初步研究了器件的铁磁共振现象,总结了线宽和共振场随频率的变化规律。
王普[3]（2020）在《电荷传输和发光有机半导体材料的设计合成及性能研究》文中研究说明有机光电半导体材料是有机功能材料的重要组成部分,也是制备高集成度的有机发光场效应晶体管必不可缺的部分,多年来一直是学者们研究的热点。因为聚集诱导淬灭现象的存在,高迁移率强固态发光材料的合成一直是领域的难题,因此我们想通过多功能基团的修饰调控,来设计合成电学、光学性能良好的材料,通过材料堆积方式、化学结构等因素,进一步的研究结构与材料性能的关系。本论文主要通过蒽衍生物和丁二炔喹啉衍生物的设计合成以及光电性能的表征,期望获得迁移率（Mobility,μ）以及荧光量子产率（Photoluminescence quantum yield,PLQY,Φ）均良好的半导体材料。并探究其电学、光学性质与材料的堆积方式、化学结构的关系。主要内容如下:（1）.通过对2,6-二苯基蒽（DPA）的两个苯环的对位进行正己基、正辛基、正癸基烷基链的修饰,设计合成了蒽衍生物C6-DPA,C8-DPA和C10-DPA。该系列蒽衍生物相比于DPA化合物,都表现出较好的溶解度,便于对其光电性能的探索。该类蒽衍生物实现了光电性能的有效集成,其中C6-DPA表现出最高迁移率为μmax=0.60 cm2?V-1?s-1;C8-DPA:μmax=0.28 cm2?V-1?s-1;C10-DPA:μmax=0.5cm2?V-1?s-1。同时该类蒽衍生物均有一定的固态发光性能,其固态量子产率为ΦC6=18.8%;ΦC8=17.3%;ΦC10=30.2%。综上所述,经过烷基链修饰后的蒽衍生物增加了溶解性的同时保留了电学光学性能。（2）.通过改变喹啉反应位点,合成了2,6-二喹啉蒽化合物（2-DQA、3-DQA、6-DQA）,通过构筑薄膜场效应晶体管探索了其电学性能。其迁移率为2-DQA:μmax=2.84 cm2?V-1?s-1;3-DQA:μmax=8.1×10-3 cm2?V-1?s-1,6-DQA未表现出半导体性能。我们进一步的探索了该类蒽衍生物的光学性能,固态量子产率分别为Φ2-DQA=13.65%;Φ3-DQA=26.3%;Φ6-DQA=65.8%。我们对该类蒽衍生物的单晶结构进行了分析,虽然结构发生变化,但均为鱼骨状堆积,保证了其电荷的有效传输。同时因氮位置的变化导致氢键等作用力和不同材料间的面角等结构均存在变化,进而导致了不同喹啉反应位点的蒽衍生物化合物的光电性能的差异。该类蒽衍生物为我们探索结构与性能的关系提供了模型。（3）.我们设计合成了1,4-二（6-喹啉）丁二炔（DQBD）,并通过溶液法得到了DQBD和DQBD-HCl单晶,之后我们研究了DQBD对酸刺激荧光颜色响应的性能,并通过采用缓冲溶液对DQBD在不同酸碱度下的光谱变化进行了分析。最后经实验验证,DQBD是一种潜在的可重复利用的精确响应酸碱传感器制备材料。于此同时,我们发现DQBD-HCl单晶满足拓扑化学聚合的基本条件,并对拓扑化学聚合条件进行了初步摸索,相关研究仍在进行中。对于拓扑化学聚合条件的摸索仍在进行中。
吴泽华[4]（2018）在《基于芘酰亚胺衍生物的高性能n-型有机半导体材料的合成及性能研究》文中进行了进一步梳理随着有机电子学的蓬勃发展,有机半导体材料逐渐成为了一个重要的科研领域。与传统的无机半导体材料相比,有机半导体材料具备易于化学修饰、与柔性基底兼容和可大规模溶液法加工制备等优点,在柔性显示、电子皮肤和传感器等领域具有广泛的应用前景。然而,有机半导体仍然存在电荷迁移率低、稳定性不足等问题,严重限制了有机电子器件的应用与发展。因此,开发高性能有机半导体材料显得尤为重要。在本论文中,我们以芘这一具备良好发光特性的富电子共轭骨架为起点,设计合成了一系列新型高性能有机光电材料,并利用这些材料制备了有机场效应晶体管以及非易失性有机场效应晶体管存储器件。通过调控分子堆积、偶极矩以及前线轨道能级等因素,获得了性能良好的器件。进一步,结合实验和理论计算研究了材料的构效关系,为设计与合成高性能n-型有机半导体材料和存储材料提供指导。本论文主要包括以下内容:第一章,对有机电子学、有机场效应晶体管、有机半导体材料以及非易失性有机场效应晶体管存储器件进行了综述与探讨。回顾了有机半导体材料的发展和分类,解析了有机场效应晶体管以及非易失性有机场效应晶体管存储器件的结构和工作原理,并阐述了本论文的选题意义与思路。第二章,对本研究中所使用的主要研究设备和制备有机电子器件所需的仪器进行了介绍,并对其工作原理以及实验操作技术进行了说明。第三章,设计了两种高效的合成路线对芘的非活泼位点进行修饰,得到了一类兼具高迁移率与发光性能的新型n-型有机半导体材料,4,5,9,10-芘二酰亚胺化合物（PyDI）。PyDI不仅在单晶堆积和前线轨道能级等方面适合作为n-型有机半导体,还保留了芘的良好发光特性,展现了良好的单光子与双光子荧光特性以及激基缔合物现象。我们基于PyDI及其衍生物制备了单晶有机场效应晶体管,通过对烷基链等方面的优化,得到了良好的电子迁移率。我们结合性能表征与理论计算,探讨了分子结构与场效应迁移率的构效关系。第四章,以芘二酰亚胺化合物t-C6-PyDI作为研究对象,通过共结晶的方法,对晶体堆积进行了调控,提高了其电荷传输性能。通过单晶解析、紫外可见光吸收光谱等表征手段,我们对共晶材料的晶体排列和分子间电荷转移等方面进行了探究,分析了共结晶的调控手段对材料电荷传输性能的影响。第五章,设计了一条高效的合成路线对芘分子的非活泼位点进行定向修饰,合成了一系列新型芘酰亚胺类衍生物。基于这些分子的非易失性有机场效应晶体管存储器件展现了良好的存储特性,具有较大的存储窗口与数据保持时间。我们对这一系列分子的光电性能进行了系统表征,结合理论计算探究了分子偶极矩和前线轨道能级对材料存储性能的影响。
崔先宇[5]（2017）在《菁铜有机隧穿效应晶体管工作机制建模研究》文中研究说明本文采用的晶体管结构是垂直结构有机薄膜晶体管（OTFT）。垂直结构的导电沟道长度相对于水平结构的沟道长度大大缩短,从而降低了驱动电压,提高了器件的工作电流。有机薄膜晶体管的有源层采用光敏性能、化学性能和稳定性良好的酞菁铜有机材料。根据金属-半导体接触理论选择晶体管的电极材料,使电极的功函数与半导体材料的功函数相匹配。采用真空蒸镀工艺与磁控溅射工艺制备结构为ITO/CuPc/Al/CuPc/Cu的薄膜晶体管。本文研究内容,制备需要的OTFT并分析其电学特性和光电特性。首先验证两端的二极管是否满足整流特性,利用数学方法进行插值,得出满足曲线变化的数学关系式。在Al/CuPc/ITO端,反向饱和电流IS为3.98X 10-8A,所形成的有效肖特基势垒高度ΦB=0.41eV。当器件的正向电压超过阈值电压后才会有明显的电流。实验结果说明Al/CuPc/ITO二极管有很好的整流特性。其次验证晶体管是否满足隧穿效应。然后在Multisim 2001中建立有机薄膜晶体管的等效模型,此时的电流分成VGS受源与VDS受控源,建模中的两个受控源用两个非线性受控源表示,根据两个受控源对电流的受控关系,可以得到在电压范围内的电流值,根据实验数据绘制出Ⅰ-Ⅴ特性曲线,与实际的实验曲线进行对比,验证建模的正确性。以上实验没有光照,所以分析的是暗状态下的有机薄膜晶体管的特性。在光照的条件下,分析有机薄膜晶体管的光电特性,器件有明显的光伏响应特性,电流被放大,根据实验数据推出电流的放大倍数,在正向偏压时的电流放大倍数最小值为1.93,最大值为3.16。建立光照下的等效模型,此时的等效模型相对于暗状态多一个电流放大倍数,于是在建模中多加一个非线性受控源,多项式受控源设置为三个非线性受控源之积,绘制出模型数据曲线,与实际实验的曲线对比,验证建模的正确性。误差分析与优化。合理的建模对于研究晶体管工作特性和制备晶体管提供了理论依据。
钟隽康[6]（2016）在《有机光敏二极管电流增益研究与阵列制备》文中指出有机光敏二极管由于可大面积生产、低成本、柔性可弯曲和轻便易于携带等诸多优点而受到广泛的关注,其中提高有机光敏器件的量子效率是研究者们一直以来的研究目标,而有机光敏二极管阵列则因其在成像领域的潜力成为了近些年来的研究热点之一。基于对有机集成半导体器件的研究和制备工艺的探索,本论文中首先研究了具有光电流增益的有机光敏二极管,并对器件性能进行了讨论和分析;然后采用了并五苯和酞菁铜两种有机光敏半导体材料,制备了基于并五苯光敏层和酞菁铜光敏层的不同阵列规模的平面异质结有机光敏二极管阵列,并研究和分析了阵列的性能。本文主要内容如下:1.制备了基于C60:酞菁铅混合体异质结光敏层和不同厚度的1,4,5,8-萘四甲酸酐（NTCDA）空穴阻挡层的有机光敏二极管,验证了厚度为3 nm的NTCDA薄膜能够实现光电流增益,在施加-5 V电压与光功率为5.74 m W的近红外光照射下能够达到最高为2.22×103 m A/W的响应度与420%的外量子效率。2.制备了基于酞菁铜光敏层和并五苯光敏层的有机光敏二极管3×2,4×3,4×5,6×5阵列,并对不同规模的阵列中单个二极管的性能和阵列的整体性能进行了测量。首先分析比较了基于并五苯光敏层和酞菁铜光敏层的有机光敏二极管3×2阵列,得出结论为酞菁铜阵列能工作在更高的反向偏压下,而在低电压下有着更大的光/暗电流比,并且阵列具有更高的均匀性和稳定性。然后分析比较了基于酞菁铜光敏层的有机光敏二极管3×2,4×3,5×4,6×5阵列,得出结论为随着阵列规模的增大,阵列的均匀性降低而坏点率上升;阵列规模越小,其均匀性和稳定性越好。最后研究了阵列暗电流密度与阵列规模的关系,并得到了两者之间的解析表达式。
王泽英[7]（2016）在《酞菁锌有机薄膜晶体管的载流子输运机制解析》文中认为使用OLED多元镀膜系统制备ITO/ZnPc/Al/ZnPc/Cu的垂直结构有机薄膜晶体管（VOTFTs）,其中,在玻璃基板上射频磁控溅射淀积ITO薄膜作为源极,使用直流磁控溅射分别生长Al和Cu薄膜作为栅极和漏极,使用真空蒸镀沉积ZnPc有源层。使用Ambios XP-200台阶测试仪测量ZnPc薄膜的厚度,测得蒸发温度为350℃、真空度是4×10-5托、蒸镀时间为40分钟时均匀沉积的ZnPc薄膜厚度约为82nm。使用半导体特性分析仪（Keithley4200-SCS）等仪器对器件进行电气特性测试。在VOTFT中,半透明的Al栅电极和两侧ZnPc接触形成肖特基势垒,具有很好的整流特性。在较低的工作电压VDS=3V和VGS=0V下,电流密度为1.194mA/cm2。ZnPc薄膜晶体管的载流子迁移率为2.17×10-6cm2/Vs。在本论文中,主要研究并解析了有机薄膜晶体管的载流子传输机制,并简要分析了 VOTFT的退化机制。实验结果表明,其电流-电压关系呈现出不饱和特性,在低电压时近似为指数关系,在电场强度增加时,则遵从Fowler-Nordheim隧穿注入理论,这是由器件结构形成的三角形肖特基势垒和ZnPc材料的导电性质决定的。同时分析了载流子迁移率、阈值电压和开关电流比等重要参数对器件工作性能的影响。使用原子力显微镜（AFM）测试了 ZnPc薄膜的表面形貌和吸收光谱。不同Al膜厚度的Ⅰ-Ⅳ特性也被测试,实验表明Al膜厚度为20nm左右时,器件具有最佳的电气特性。通过C-V特性曲线计算出了平衡状态下的肖特基势垒高度和耗尽层宽度等参数,分别为0.848V和24.7nm,并分析了肖特基势垒高度对电流的调制作用。本文还阐述了栅泄漏电流的形成及抑制方法。VOTFT的短沟道垂直结构弥补了有机半导体材料载流子迁移率低和导电率低的缺陷,提高了器件的工作速度,实现了有机器件的高速化、高电流密度和低驱动电压。
张永霜[8]（2016）在《酞菁锌有机薄膜晶体管制备与光电特性分析》文中提出有机薄膜晶体管（organic thin-film transistors,OTFTs）的优点突出,如制备工艺简单、制备材料价格低及与柔性衬底相兼容等,一直以来都是研究的热门方向,其在有源显示、传感及逻辑电路等领域有着十分重要的应用前景。传统的有机薄膜晶体管是水平结构,这种结构的导电沟道长,从而导致驱动电压高、工作电流小。为了解决这些缺点,我们尝试采用垂直结构制备有机薄膜晶体管器件,垂直结构的导电沟道长度极短,从而有效降低的驱动电压,提高器件的工作电流。实验使用光敏性能良好的酞菁锌材料作为有机薄膜晶体管的有源层。根据金属-半导体接触理论,选择功函数与半导体材料相匹配的材料作为晶体管的电极材料。采用真空蒸镀工艺与磁控溅射工艺制备结构为ITO/ZnPc/Al的薄膜二极管和结构为ITO/ZnPc/Al/ZnPc/Cu的薄膜晶体管。首先,测量并分析ZnPc有机薄膜二极管特性。在光照时,器件有明显的光伏响应特性,其反向区电流变化非常显着。实验结果表明ZnPc材料改善了光电二极管的性能,提高了填充因子FF和能量转换效率。然后,测量并分析ZnPc有机薄膜晶体管特性。先确认晶体管形成上下两个肖特基接触,之后测量酞菁锌有机薄膜晶体管的电学特性和光学特性。研究ITO和Cu中哪一个更适合做有机薄膜晶体管的发射极。根据实验结果计算出晶体管的放大率β、电流放大系数、光生电流及光电敏感度。实验结果表明酞菁锌有机薄膜晶体管具有非常好的光电转换效率,也具有超高的光电敏感度,当Vec=2V时,光电敏感度就超过2A/W。测量酞菁锌有机薄膜晶体管在不同光照下的输出特性,使用700nm的光照射时电流放大效果最好。同时,测试了实验制备的器件的经时特性变化,在器件无封装条件下,在六天内有一定稳定性。
陈嘉宾[9]（2015）在《PbPc有机薄膜晶体管的制备与气敏特性分析》文中提出随着周围大气环境日趋恶劣,为了实现对有毒、有害气体的准确检测,对气敏传感器的研究变的越来越重要,获得高性能的敏感材料是关键。酞菁类材料（MPc）作为敏感层制成的气敏传感器具有广泛的应用前景。本文以有机小分子半导体材料PbPc为有源层,利用OLED多功能多元镀膜系统,采用磁控溅射镀膜工艺和真空热蒸发镀膜工艺制备了垂直结构的有机薄膜晶体管。制备的二极管结构为MgAl/PbPc/Cu,其中Cu作为阳极,MgAl作为阴极,测试PbPc薄膜二极管的气敏特性。制备的三极管结构为Cu/PbPc/MgAl/PbPc/Cu,测试OTFTs的基本电学特性。利用自制的气敏测量系统以及Keithley 4200scs半导体特性分析系统,测试PbPc薄膜晶体管对NO2的气敏特性。通过对I-V特性测量数据进行深入的理论分析,比较出器件对不同浓度的NO2气体的敏感程度。研究结果表明:制备MgAl/PbPc/Cu薄膜晶体管具有良好的肖特基二极管特性。当有机薄膜吸附NO2气体时,会发生还原反应,根据酞菁材料的气敏机理,还原性气体作为电子给体,产生一个施主掺杂的作用,导致PbPc薄膜内载流子浓度的变化,所以还原性气体的掺杂减少了薄膜内部多数载流子的数量,使酞菁材料的导电性降低。当器件置于10-5的NO2气体74分钟后,正向电流减小65倍,对应的MgAl/PbPc肖特基势垒高度约上升了20meV。同时由于被吸附NO2气体的PbPc薄膜少数载流子电子数目的增加,导致器件的反向电流增加4倍,表明PbPc有机薄膜晶体管对NO2气体具有显着的敏感特性。分析Cu/PbPc/MgAl/PbPc/Cu有机薄膜三极管的I-V特性,发射极与集电极间Iec的电流随基极电压Vb增大而减小,器件具有不饱和的特性。
吴波明[10]（2014）在《有机薄膜晶体管的工作特性及载流子传输机理分析》文中研究表明本文制备的晶体管以铜（Cu）作为源极和漏极,铝（Al）作为栅极,有机半导体材料酞菁铜、酞菁铅作为传输层。金属电极均通过磁控溅射沉积成膜法制备,而有机半导体层通过真空加热蒸发使之气化再沉积成膜法制备。晶体管采用Cu/CuPc/Al/CuPc/Cu五层堆叠的垂直结构,以减小导电沟道的长度,减小驱动电压。用铟粒压铜丝法引出电极,使用吉时利（KEITHLEY）生产的4200半导体测试仪测试晶体管的电学特性。通过对晶体管的整流特性进行测试分析可知,Al栅极与上下两层的有机半导体CuPc及CuPc、PbPc混合薄膜形成了良好的肖特基接触,传输层与电极Cu形成了良好的欧姆接触。由二极管特性可知,相同厚度的CuPc薄膜导电性能强于CuPc、PbPc混合薄膜。由其静态工作特性可知,保持漏源极间电压VDS不变,栅源极间电压VGS增加时,漏源极间电流IDS反而减小;保持VGS不变,VDS增加时,漏源极间电流IDS增大。由VGS对IDS转移特性曲线可见,随着VGS的增加,工作电流IDS迅速降低,反映了栅极偏压对漏源电流IDS很强的控制能力。栅极偏压分别为0V和栅极开路时,源-栅极间电流IDS相差1000倍,可以认为是当栅极处于开路状态时,与双极型三极管的基极开路一样,栅极开路时栅极区域内耗尽层电势保持不变,相当于悬空态,其势垒高度无法被源—漏极间电压VDs改变,载流子难以克服此势垒高度形成电流,故而IDS几乎被阻断。由电容-电压特性以及电流-电压特性计算得出肖特基势垒高度分别为0.635eV和0.617eV,载流子浓度约为3.231×1015cm-3,载流子迁移率为1.1753×10-3cm2/Vs。通过计算得到栅极电压为零伏时,器件的工作电压电流表达式IDS=1.99× 10-6exp（q VDS/18.38KT）。实验结果表明,纵向沟道薄膜晶体管的特有结构使其导电沟道被有效缩短,在一定程度上弥补了有机半导体材料载流子迁移率低的不足,使其表现出反应速度快及电流密度高的动态动作特性。
二、基于实验结果的有机半导体薄膜三极管动作特性解析（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、基于实验结果的有机半导体薄膜三极管动作特性解析（论文提纲范文）
（1）有机半导体材料的多晶型调控及其电荷传输性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 概述 |
| 1.2 有机电子学 |
| 1.3 有机场效应晶体管 |
| 1.3.1 有机场效应晶体管的基本结构 |
| 1.3.2 有机场效应晶体管的工作原理 |
| 1.3.3 有机场效应晶体管的性能参数 |
| 1.4 有机半导体材料 |
| 1.4.1 有机小分子 |
| 1.4.2 有机聚合物 |
| 1.4.3 有机半导体多晶型 |
| 1.4.4 有机半导体多晶型在有机场效应晶体管中的应用 |
| 1.5 有机半导体多晶型的调控方法 |
| 1.6 本论文的选题依据及意义 |
| 第二章 聚合物辅助调控有机半导体多晶型改变电荷输运 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 α和β相晶体 |
| 2.3.2 晶体微观结构 |
| 2.3.3 器件制备及表征 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 溶剂蒸汽退火法制备一维PDI_8-CN_2自组装纳米线 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 自组装纳米线的微观结构 |
| 3.3.2 溶剂蒸汽退火 |
| 3.3.3 器件制备及表征 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 PDI衍生物自组装多晶型在光响应OFET中的应用 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 α相和β相晶体 |
| 4.3.2 晶体的微观结构 |
| 4.3.3 OFET器件的光电特性 |
| 4.3.4 理论计算 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的学术会议 |
| 致谢 |
（2）新型有机-无机杂化钙钛矿的合成与自旋器件研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 钙钛矿简介 |
| 1.2 有机-无机杂化钙钛矿的分类 |
| 1.2.1 三维钙钛矿 |
| 1.2.2 二维钙钛矿 |
| 1.2.3 一维钙钛矿 |
| 1.2.4 零维钙钛矿 |
| 1.3 有机-无机杂化钙钛矿的组成 |
| 1.4 有机-无机杂化钙钛矿晶体的合成方法 |
| 1.4.1 逆温度结晶法 |
| 1.4.2 反溶剂辅助结晶法 |
| 1.4.3 过饱和溶液降温结晶法 |
| 1.4.4 缓慢挥发法 |
| 1.5 有机-无机杂化钙钛矿材料的特性与器件 |
| 1.5.1 白光发射 |
| 1.5.2 铁电性 |
| 1.5.3 太阳能电池 |
| 1.5.4 发光二极管 |
| 1.5.5 场效应晶体管 |
| 1.5.6 电阻-开关记忆器件 |
| 1.5.7 突触 |
| 1.6 有机-无机杂化钙钛矿自旋相关性质研究 |
| 1.6.1 自旋对激子的影响 |
| 1.6.2 有机-无机杂化钙钛矿器件的磁场效应 |
| 1.6.3 二维手性有机-无机杂化钙钛矿中的自旋调控 |
| 1.6.4 二维钙钛矿磁体中的自旋重取向诱导磁介电耦合效应 |
| 1.6.5 有机-无机杂化钙钛矿中的磁相互作用 |
| 1.6.6 磁性和多铁性 |
| 1.6.7 介电特性 |
| 1.7 选题思路及研究意义 |
| 参考文献 |
| 第二章 新型二维杂化钙钛矿的热致变色和铁磁性研究 |
| 2.1 课题的提出与材料设计思路 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 原料 |
| 2.2.2 PED·2HCl和BED·2HCl晶体的合成 |
| 2.2.3 (PED)CuCl_4晶体的合成 |
| 2.2.4 (BED)2CuCl_6晶体的合成 |
| 2.2.5 器件制备和仪器测试 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 粉末XRD |
| 2.3.2 热重分析 |
| 2.3.3 单晶结构 |
| 2.3.4 热致变色性质 |
| 2.3.5 变温紫外可见光谱 |
| 2.3.6 变温XRD |
| 2.3.7 变温电导率 |
| 2.3.8 磁学测试 |
| 2.4 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 第三章 钙钛矿手性铁磁体 |
| 3.1 课题的提出与材料设计思路 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 原料 |
| 3.2.2 R-MPEA·HCl和S-MPEA·HCl晶体的合成 |
| 3.2.3 (R-MPEA)_2CuCl_4和(S-MPEA)_2CuCl_4晶体的合成 |
| 3.2.4 样品测试 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 (R-MPEA)_2CuCl_4和(S-MPEA)_2CuCl_4晶体的显微镜照片 |
| 3.3.2 粉末XRD |
| 3.3.3 热重分析 |
| 3.3.4 单晶结构 |
| 3.3.5 紫外光谱和CD光谱 |
| 3.3.6 磁学测试 |
| 3.3.7 磁手性二色性 |
| 3.4 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 第四章 新型二维杂化钙钛矿白光发射与场效应研究 |
| 4.1 发光场效应晶体管 |
| 4.1.1 兼具发光与导电的材料 |
| 4.1.2 钙钛矿场效应研究进展 |
| 4.1.3 钙钛矿发光研究进展 |
| 4.2 课题的提出与材料设计思路 |
| 4.3 实验部分 |
| 4.3.1 原料 |
| 4.3.2 PEA·HBr、PED·2HBr和BED·2HBr晶体的合成 |
| 4.3.3 PEA·HI、PED·2HI和BED·2HI晶体的合成 |
| 4.3.4 (PEA)_2PbBr_4、(PED)PbBr_4、(BED)PbBr_4晶体的合成 |
| 4.3.5 (PEA)-2SnI_4、(PED)_4Sn3I_(14)、(BED)SnI_4晶体的合成 |
| 4.3.6 器件制备和仪器测试 |
| 4.4 结果与讨论 |
| 4.4.1 晶体照片 |
| 4.4.2 单晶结构 |
| 4.4.3 热稳定性 |
| 4.4.4 紫外可见光谱 |
| 4.4.5 荧光光谱 |
| 4.4.6 白光发射机理 |
| 4.4.7 荧光寿命 |
| 4.4.8 CIE |
| 4.4.9 掠入射X射线散射(GIWAXS) |
| 4.4.10 场效应性能表征 |
| 4.4.11 光检测器、磁阻测试和Z-Scan测试 |
| 4.5 其它二维杂化钙钛矿 |
| 4.6 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 第五章 钙钛矿/高分子复合物近红外光探测器研究 |
| 5.1 光检测器 |
| 5.1.1 简介 |
| 5.1.2 光电探测器分类 |
| 5.1.3 钙钛矿光检测器研究进展 |
| 5.2 课题的提出与材料设计思路 |
| 5.3 实验部分 |
| 5.3.1 原料及实验方法 |
| 5.3.2 器件制备 |
| 5.4 结果与讨论 |
| 5.4.1 紫外吸收光谱 |
| 5.4.2 粉末XRD |
| 5.4.3 TEM |
| 5.4.4 AFM |
| 5.4.5 PET/MAPbI_3/PCDTPT器件制备 |
| 5.4.6 PET/MAPbI_3/PCDTPT性能表征 |
| 5.4.7 MAPbI_3/PCDTPT薄膜形貌优化 |
| 5.4.8 钙钛矿单晶/PCDTPT光探测器 |
| 5.5 无铅钙钛矿 |
| 5.6 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 第六章 二维杂化钙钛矿铁磁共振研究 |
| 6.1 自旋电子学 |
| 6.2 有机自旋电子学 |
| 6.3 钙钛矿自旋电子学 |
| 6.3.1 自旋-轨道耦合 |
| 6.3.2 杂化钙钛矿中Rashba效应和Dresselhaus效应 |
| 6.3.3 霍尔效应 |
| 6.3.4 逆自旋霍尔效应 |
| 6.3.5 铁磁共振 |
| 6.4 课题的提出与材料设计思路 |
| 6.5 实验部分 |
| 6.6 结果与讨论 |
| 6.6.1 MAPbBr_3霍尔效应 |
| 6.6.2 (BED)_2CuCl_6/Pt铁磁共振研究 |
| 6.6.3 PBTTT/Pt铁磁共振研究 |
| 6.7 结论与展望 |
| 参考文献 |
| 第七章 总结与展望 |
| 7.1 主要结论 |
| 7.2 本研究工作存在的不足 |
| 7.3 研究展望 |
| 在学期间的研究成果 |
| 致谢 |
（3）电荷传输和发光有机半导体材料的设计合成及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 有机场效应晶体管的基本介绍及发展现状 |
| 1.2.1 有机场效应晶体管的基本介绍 |
| 1.2.2 有机场效应晶体管的发展现状 |
| 1.3 兼具电荷传输和发光有机半导体材料的研究意义 |
| 1.3.1 蒽类衍生物光电材料的研究 |
| 1.3.2 聚丁二炔类光电材料研究 |
| 1.3.3 不同官能团作用内核对半导体材料性能影响 |
| 1.4 本论文选题依据及意义 |
| 第二章 烷基取代2,6-二苯基蒽的设计合成及性能研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验材料和设备 |
| 2.2.2 材料的合成与表征 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 材料的光物理性能 |
| 2.3.2 材料的电学性能测试 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 喹啉取代蒽衍生物的设计合成及性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验材料和设备 |
| 3.2.2 材料的合成与表征 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 堆积结构 |
| 3.3.2 材料的光物理性能 |
| 3.3.3 电学性能测试 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 喹啉取代丁二炔衍生物的设计合成及性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验材料和设备 |
| 4.2.2 材料的合成与表征 |
| 4.3 结果和讨论 |
| 4.3.1 材料的拓扑化学聚合尝试 |
| 4.3.2 材料的堆积结构 |
| 4.3.3 DQBD的酸刺激响应性质 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结和展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 致谢 |
| 作者个人简历以及在学期间发表的学术论文与研究成果 |
（4）基于芘酰亚胺衍生物的高性能n-型有机半导体材料的合成及性能研究（论文提纲范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 有机电子学背景介绍 |
| 1.2 有机场效应晶体管 |
| 1.2.1 有机场效应晶体管简介 |
| 1.2.2 有机场效应晶体管的基本参数 |
| 1.3 有机半导体材料 |
| 1.3.1 p-型有机半导体材料 |
| 1.3.2 n-型有机半导体材料 |
| 1.3.3 双极型有机半导体材料 |
| 1.4 非易失性有机场效应晶体管存储器件 |
| 1.4.1 有机场效应晶体管存储器的分类及工作原理 |
| 1.4.2 有机场效应晶体管存储器的主要参数 |
| 1.5 本论文的选题意义与思路 |
| 参考文献 |
| 第二章 实验技术及测试仪器 |
| 2.1 有机半导体材料合成时所需的试剂和仪器 |
| 2.2 有机半导体材料的光电性质表征 |
| 2.3 有机场效应晶体管的制备及表征 |
| 2.3.1 硅片的清洗 |
| 2.3.2 二氧化硅表面的修饰 |
| 2.3.3 有机半导体层的制备 |
| 2.3.4 有机半导体层的性能表征 |
| 2.4 有机薄膜的表征 |
| 参考文献 |
| 第三章 4,5,9,10-芘二酰亚胺(PyDI)半导体材料的设计、合成及其在场效应晶体管中的应用 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 化合物的合成及基本光电性质 |
| 3.2.1 化合物合成路线 |
| 3.2.2 单晶结构解析 |
| 3.2.3 基本光电性能表征 |
| 3.3 有机场效应器件的制备 |
| 3.3.1 液滴固定结晶法(DPC法) |
| 3.3.2 基于PyDI分子的有机单晶场效应晶体管的制备 |
| 3.3.3 器件性能表征 |
| 3.4 理论计算分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 PyDI衍生物的共晶材料的设计、制备及性能的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.1.1 有机共晶材料的分类 |
| 4.1.2 有机共晶材料的制备 |
| 4.2 共晶场效应晶体管器件的制备 |
| 4.2.1 实验原料 |
| 4.2.2 场效应晶体管的制备 |
| 4.3 单晶结构解析 |
| 4.4 光电性能表征 |
| 4.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 芘酰亚胺类化合物的设计、合成及其在非易失性场效应晶体管存储器中的应用 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 材料的合成及制备 |
| 5.3 化合物的光电性能表征 |
| 5.3.1 基本光电性能的表征 |
| 5.4 场效应晶体管存储器件的制备及性能 |
| 5.4.1 器件的制备 |
| 5.4.2 薄膜形貌的表征 |
| 5.4.3 有机场效应晶体管存储器的测试 |
| 5.5 结果分析 |
| 5.5.1 分子偶极矩 |
| 5.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 总结与展望 |
| 附录 |
| 在学期间的研究成果 |
| 致谢 |
（5）菁铜有机隧穿效应晶体管工作机制建模研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 |
| 1.2 有机薄膜晶体管的发展现状 |
| 1.3 有机薄膜晶体管的应用 |
| 1.3.1 AMOLED的驱动开关 |
| 1.3.2 OTFT传感器的研究 |
| 1.3.3 OTFT的其它应用 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 |
| 第2章 有机薄膜晶体管的基本理论与制备 |
| 2.1 有机薄膜晶体管的结构 |
| 2.2 有机薄膜晶体管的基本工作原理 |
| 2.3 垂直结构的有机薄膜晶体管 |
| 2.4 薄膜材料的选择 |
| 2.4.1 有源层的选择 |
| 2.4.2 金属电极材料的选择 |
| 2.5 薄膜制备的方法 |
| 2.5.1 溶液法制备有机薄膜 |
| 2.5.2 LB膜法 |
| 2.5.3 真空淀积法 |
| 2.6 酞菁铜薄膜晶体管的制备流程 |
| 2.6.1 ITO薄膜的制备 |
| 2.6.2 CuPc薄膜的制备 |
| 2.6.3 Al薄膜的制备 |
| 2.6.4 CuPc薄膜的制备 |
| 2.6.5 Cu薄膜的制备 |
| 2.7 本章小结 |
| 第3章 酞菁铜有机薄膜晶体管的结构验证 |
| 3.1 二极管特性验证 |
| 3.2 晶体管特性验证 |
| 3.3 晶体管的隧穿特性验证 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 酞菁铜有机隧穿效应晶体管的建模与仿真 |
| 4.1 酞菁铜有机隧穿效应晶体管电学特性分析 |
| 4.2 酞菁铜薄膜晶体管的电学特性建模与仿真 |
| 4.3 酞菁铜有机隧穿效应晶体管光电特性分析 |
| 4.4 光照下酞菁铜薄膜晶体管的电学特性建模与仿真 |
| 4.5 误差与优化 |
| 4.6 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 |
| 致谢 |
（6）有机光敏二极管电流增益研究与阵列制备（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 具有光电流增益的有机光敏二极管 |
| 1.2 有机光敏二极管阵列 |
| 1.3 本文的选题意义和研究内容 |
| 第二章 有机光敏二极管结构及原理 |
| 2.1 有机异质结 |
| 2.2 有机光敏二极管结构 |
| 2.3 暗电流的控制 |
| 2.4 光生激子的产生与解离 |
| 2.5 有机光敏二极管工作原理 |
| 2.6 有机光敏二极管的主要性能参数 |
| 2.7 有机光敏二极管中常用的有机材料 |
| 2.7.1 空穴传输材料 |
| 2.7.2 电子传输材料 |
| 2.7.3 其他功能材料 |
| 第三章 有机光敏二极管光电流增益研究 |
| 3.1 器件结构与制备 |
| 3.1.1 具有光电流增益的有机光敏二极管结构 |
| 3.1.2 ITO玻璃的预处理与清洗 |
| 3.1.3 有机光敏二极管的制备 |
| 3.1.4 器件的性能测量 |
| 3.2 有机光敏二极管的测量结果 |
| 3.2.1 NTCDA厚度为3 nm的有机光敏二极管测量结果 |
| 3.2.2 NTCDA厚度为6 nm的有机光敏二极管测量结果 |
| 3.2.3 NTCDA厚度为12 nm的有机光敏二极管测量结果 |
| 3.3 总结与分析 |
| 第四章 有机光敏二极管阵列 |
| 4.1 器件结构与制备 |
| 4.1.1 基于酞菁铜光敏层的有机光敏二极管阵列结构 |
| 4.1.2 基于并五苯光敏层的有机光敏二极管阵列结构 |
| 4.1.3 ITO玻璃的预处理与清洗 |
| 4.1.4 有机光敏二极管阵列的制备 |
| 4.1.5 器件的性能测量 |
| 4.2 基于酞菁铜光敏层的有机光敏二极管3×2阵列性能测量结果及分析 |
| 4.2.1 阵列中单个二极管的性能 |
| 4.2.2 阵列性能 |
| 4.3 基于酞菁铜光敏层的有机光敏二极管4×3阵列性能测量结果及分析 |
| 4.3.1 阵列中单个二极管的性能 |
| 4.3.2 阵列性能 |
| 4.4 基于酞菁铜光敏层的有机光敏二极管4×5阵列性能测量结果及分析 |
| 4.4.1 阵列中单个二极管的性能 |
| 4.4.2 阵列性能 |
| 4.5 基于酞菁铜光敏层的有机光敏二极管6×5阵列性能测量结果及分析 |
| 4.5.1 阵列中单个二极管的性能 |
| 4.5.2 阵列性能 |
| 4.6 基于并五苯光敏层的有机光敏二极管3×2阵列性能测量结果及分析 |
| 4.6.1 阵列中单个二极管的性能 |
| 4.6.2 阵列性能 |
| 4.7 其他基于并五苯光敏层的有机光敏二极管阵列实验总结 |
| 4.8 不同材料、不同规模的有机光敏二极管阵列的比较与分析 |
| 4.8.1 基于并五苯光敏层和酞菁铜光敏层阵列比较 |
| 4.8.2 基于酞菁铜光敏层的不同规模阵列比较 |
| 4.8.3 总结与分析 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 在学期间研究成果 |
| 致谢 |
（7）酞菁锌有机薄膜晶体管的载流子输运机制解析（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 |
| 1.2 有机薄膜晶体管的发展及应用 |
| 1.3 有机TFTs存在的问题 |
| 1.3.1 薄膜形貌对晶体管性能的影响 |
| 1.3.2 有机材料载流子迁移率低的问题 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 |
| 第2章 有机半导体材料的基本理论 |
| 2.1 有机半导体材料的载流子传输 |
| 2.2 影响有机半导体材料迁移率的因素 |
| 2.2.1 分子结构与堆积方式 |
| 2.2.2 缺陷和杂质 |
| 2.3 有机材料迁移率的测试 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 ZnPc薄膜晶体管的制备与特性表征 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 工艺参数对成膜质量的影响 |
| 3.2.1 真空度 |
| 3.2.2 氩气流量对薄膜质量的影响 |
| 3.3 薄膜制备技术 |
| 3.3.1 溅射技术 |
| 3.3.2 蒸镀技术 |
| 3.4 垂直结构ZnPc薄膜晶体管的制备过程 |
| 3.4.1 玻璃基板的清洗 |
| 3.4.2 ITO薄膜的制备 |
| 3.4.3 有机薄膜的制备 |
| 3.4.4 金属电极薄膜的制备 |
| 3.5 ZnPc薄膜的物理特性表征 |
| 3.5.1 形貌分析 |
| 3.5.2 ZnPc薄膜的吸收光谱 |
| 3.5.3 ZnPc薄膜的厚度测试 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 VOTFTs的特性测试与载流子传输机制解析 |
| 4.1 VOTFTs的工作机理 |
| 4.2 ZnPc VOTFTs的静态特性测试与分析 |
| 4.2.1 ZnPc VOTFTs的静态特性测试 |
| 4.2.2 ZnPc VOTFTs的静态特性结果分析 |
| 4.2.3 肖特基势垒高度的计算 |
| 4.2.4 Al膜厚度对晶体管性能的影响 |
| 4.2.5 器件的电学特性参数计算与分析 |
| 4.3 ZnPc VOTFTs的载流子传输机制解析 |
| 4.3.1 Al栅极和ZnPc接触界面的电学特性分析 |
| 4.3.2 Fowler-Nordheim载流子隧穿注入机制 |
| 4.4 ZnPc VOTFTs性能参数分析 |
| 4.4.1 ZnPc薄膜晶体管载流子迁移率的计算 |
| 4.4.2 ZnPc薄膜晶体管的开关电流比 |
| 4.5 ZnPc VOTFTs的退化机制解析 |
| 4.6 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 |
| 致谢 |
（8）酞菁锌有机薄膜晶体管制备与光电特性分析（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 |
| 1.2 国内有机薄膜晶体管的研究发展现状 |
| 1.3 有机薄膜晶体管研究应用概况 |
| 1.3.1 有机发光二极管显示器OLED |
| 1.3.2 有机场效应晶体管OFET |
| 1.3.3 有机太阳能电池 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 |
| 1.5 可能遇到的问题及解决方法 |
| 第2章 有机薄膜晶体管的结构与材料 |
| 2.1 有机薄膜晶体管结构 |
| 2.1.1 水平结构有机薄膜晶体管 |
| 2.1.2 垂直结构有机薄膜晶体管 |
| 2.2 有机半导体材料的选择 |
| 2.2.1 有机半导体材料的优点 |
| 2.2.2 常见有机半导体材料 |
| 2.3 电极材料的选择 |
| 2.3.1 金属-半导体接触理论 |
| 2.3.2 电极材料 |
| 2.4 有机薄膜晶体管的工作原理 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 酞菁锌有机薄膜晶体管的制备 |
| 3.1 有机半导体材料的制备工艺 |
| 3.1.1 真空蒸发法 |
| 3.1.2 影响有机薄膜性能的主要因素 |
| 3.1.3 有机薄膜质量 |
| 3.1.4 酞菁锌薄膜的吸收光谱 |
| 3.2 电极材料的制备工艺 |
| 3.2.1 磁控溅射法 |
| 3.2.2 影响电极薄膜性能的主要因素 |
| 3.2.3 电极层工艺参数 |
| 3.3 酞菁锌薄膜晶体管的制备过程 |
| 3.3.1 玻璃基板处理 |
| 3.3.2 ITO薄膜的制备 |
| 3.3.3 ZnPc薄膜的制备 |
| 3.3.4 Al薄膜的制备 |
| 3.3.5 ZnPc薄膜的制备 |
| 3.3.6 Cu薄膜的制备 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 酞菁锌薄膜晶体管特性测试与结果分析 |
| 4.1 酞菁锌薄膜二极管特性测试与结果分析 |
| 4.1.1 酞菁锌薄膜二极管的光电特性 |
| 4.2 酞菁锌薄膜晶体管特性测试与结果分析 |
| 4.2.1 酞菁锌薄膜晶体管的电学特性 |
| 4.2.2 酞菁锌薄膜晶体管的光学特性 |
| 4.2.3 不同光照条件下酞菁锌晶体管的输出特性 |
| 4.2.4 酞菁锌薄膜晶体管的稳定性 |
| 4.3 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 |
| 致谢 |
（9）PbPc有机薄膜晶体管的制备与气敏特性分析（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题研究的背景及意义 |
| 1.2 气体传感器的概述 |
| 1.3 有机半导体材料 |
| 1.3.1 并五苯有机半导体材料 |
| 1.3.2 酞菁类有机半导体材料 |
| 1.4 有机薄膜晶体管的研究进展 |
| 1.5 有机薄膜气敏传感器研究进展 |
| 1.6 论文的主要内容 |
| 第2章 有机气敏晶体管基本理论 |
| 2.1 金属与半导体接触理论 |
| 2.1.1 金属和半导体功函数 |
| 2.1.2 肖特基接触 |
| 2.1.3 欧姆接触 |
| 2.1.4 中性接触 |
| 2.2 酞菁配合物的气敏机理及影响因素 |
| 2.2.1 酞菁的气敏性与气敏性机理 |
| 2.2.2 影响金属酞菁配合物气敏特性的因素 |
| 2.3 本章小结 |
| 第3章 PbPc有机薄膜晶体管的制备 |
| 3.1 器件制备工艺 |
| 3.1.1 真空蒸发镀膜法 |
| 3.1.2 磁控溅射镀膜法 |
| 3.2 PbPc有机薄膜晶体管制备流程 |
| 3.2.1 器件的结构 |
| 3.2.2 基片的处理 |
| 3.2.3 金属电极的制备 |
| 3.2.4 有机层的制备 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 PbPc有机薄膜晶体管的气敏特性测试与结构分析 |
| 4.1 敏感特性测试 |
| 4.1.1 气敏测试系统 |
| 4.1.2 实验方法 |
| 4.2 实验测试结果 |
| 4.2.1 器件在空气中的测试结果 |
| 4.2.2 器件在NO_2气体中的测试结果 |
| 4.2.3 器件的恢复 |
| 4.3 PbPc有机薄膜二极管的气敏特性分析 |
| 4.3.1 器件正向I-V特性分析 |
| 4.3.2 器件反向I-V特性分析 |
| 4.4 PbPc有机薄膜三极管的I-V特性测试分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
（10）有机薄膜晶体管的工作特性及载流子传输机理分析（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景和意义 |
| 1.2 酞菁类物质的发现及应用 |
| 1.2.1 酞菁类物质的发现 |
| 1.2.2 酞菁类物质的应用概况 |
| 1.3 有机薄膜晶体管的发展概况 |
| 1.4 有机薄膜晶体管的结构 |
| 1.5 纵向沟道晶体管 |
| 1.6 存在的问题 |
| 1.7 本论文的主要工作 |
| 第2章 有机半导体薄膜的制备及厚度测量 |
| 2.1 有机半导体薄膜对器件性能的影响 |
| 2.2 有机薄膜的制备方法 |
| 2.3 有机薄膜厚度的测量 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 有机薄膜晶体管的制备 |
| 3.1 器件结构 |
| 3.2 材料的选取 |
| 3.3 玻璃基片的准备 |
| 3.4 金属层的制备 |
| 3.5 有机传输层的制备 |
| 3.6 多元镀膜装置及原理 |
| 3.7 本章小结 |
| 第4章 OTFT的特性测试及实验结果分析 |
| 4.1 有源层及其厚度对器件性能的影响 |
| 4.2 有机薄膜晶体管的工作机理 |
| 4.3 栅电极与半导体层界面电学特性分析 |
| 4.3.1 电流-电压特性 |
| 4.3.2 电容-电压特性 |
| 4.4 晶体管的电学特性测试及分析 |
| 4.4.1 静态输出特性 |
| 4.4.2 阈值电压 |
| 4.4.3 载流子迁移率 |
| 4.4.4 转移特性 |
| 4.4.5 工作状态下I_(DS)与I_(GS)的关系 |
| 4.4.6 输入特性 |
| 4.5 载流子的传输 |
| 4.6 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 |
| 致谢 |
四、基于实验结果的有机半导体薄膜三极管动作特性解析（论文参考文献）
- [1]有机半导体材料的多晶型调控及其电荷传输性能研究[D]. 徐海笑. 南京邮电大学, 2020(03)
- [2]新型有机-无机杂化钙钛矿的合成与自旋器件研究[D]. 孙冰. 兰州大学, 2020
- [3]电荷传输和发光有机半导体材料的设计合成及性能研究[D]. 王普. 郑州大学, 2020(02)
- [4]基于芘酰亚胺衍生物的高性能n-型有机半导体材料的合成及性能研究[D]. 吴泽华. 兰州大学, 2018(11)
- [5]菁铜有机隧穿效应晶体管工作机制建模研究[D]. 崔先宇. 哈尔滨理工大学, 2017(05)
- [6]有机光敏二极管电流增益研究与阵列制备[D]. 钟隽康. 兰州大学, 2016(08)
- [7]酞菁锌有机薄膜晶体管的载流子输运机制解析[D]. 王泽英. 哈尔滨理工大学, 2016(05)
- [8]酞菁锌有机薄膜晶体管制备与光电特性分析[D]. 张永霜. 哈尔滨理工大学, 2016(05)
- [9]PbPc有机薄膜晶体管的制备与气敏特性分析[D]. 陈嘉宾. 哈尔滨理工大学, 2015(04)
- [10]有机薄膜晶体管的工作特性及载流子传输机理分析[D]. 吴波明. 哈尔滨理工大学, 2014(06)
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